轉載-科技新聞-行動記憶體夯華東力成衝封測

中央社 - 2012年2月20日上午10:08

(中央社記者鍾榮峰台北19日電)智慧型手機和平板電腦持續拉高行動記憶體需求，大廠紛紛調高行動記憶體生產，封測廠華東和力成均看好今年行動記憶體封測表現。
根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange最新調查，智慧型手機與平板電腦帶動行動記憶體需求，動態隨機存取記憶體(DRAM)一線大廠紛紛調高行動記憶體生產比重，預估今年第 1季行動記憶體價格仍將維持下跌走勢，預估跌幅在15%到20%左右。
DRAMeXchange指出，南韓三星(Samsung)去年第4季行動記憶體總營收遠超過競爭對手，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)出貨功不可沒，今年三星在行動記憶體將以35奈米製程為生產主力。
其他DRAM大廠今年也規劃行動式記憶體發展方向，DRAMeXchange指出，海力士(Hynix)將從44奈米製程陸續轉進38奈米製程；日系大廠爾必達(Elpida)缺少NANDFlash產品線支援，行動記憶體議價能力受限，應密切注意後續市場策略。
台廠華邦今年下半年46奈米製程可進入量產階段，將從Pseudo DRAM逐步增加行動DRAM比重。
據指出，行動記憶體價格可比傳統標準型DRAM高出3到5倍，後段封測成本

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